1902년 02월 10일, 0세 때, 월터 브래튼은 중국 푸젠성 아모이(지금의 샤먼)에서 미국인 부모 로스 R. 브래튼과 오틸리 하우저 사이에 태어났고, 아버지는 그곳 중국 소년들을 위한 사립학교 팅원 학원에서 가르치고 있었다.

1903년 00월 00일, 1세 때, 월터 브래튼은 어머니와 함께 미국으로 돌아왔고 아버지도 곧 뒤따라왔다.

0000년 00월 00일, 00세 때, 월터 브래튼은 가족과 함께 워싱턴주 스포캔에서 몇 해를 살았다.

1911년 00월 00일, 9세 때, 월터 브래튼은 가족과 함께 워싱턴주 토너스킷 인근의 소 목장에 자리를 잡았다.

0000년 00월 00일, 00세 때, 월터 브래튼은 워싱턴주에서 퀸 앤 고등학교 1년, 토너스킷 고등학교 2년, 모런 남학교 1년을 다니며 고등학교 과정을 마쳤다.

0000년 00월 00일, 00세 때, 월터 브래튼은 휘트먼 칼리지에 진학해 물리학자 벤저민 H. 브라운과 수학자 월터 A. 브래턴에게서 배웠다.

1924년 00월 00일, 22세 때, 월터 브래튼은 휘트먼 칼리지를 물리학·수학 복수 전공으로 졸업했고, 함께 이름을 떨친 동기들과 '물리학의 네 기사'로 불리게 됐다.

0000년 00월 00일, 00세 때, 월터 브래튼은 오리건 대학교에서 물리학 석사 학위를 받았다.

0000년 00월 00일, 00세 때, 월터 브래튼은 미네소타 대학교 박사 과정에서 존 토런스 테이트의 지도를 받았고, 존 해즈브룩 밴블렉에게서 새로운 분야인 양자역학을 배웠다.

1928년 00월 00일, 26세 때, 월터 브래튼은 미국 국립표준국 무선부에 들어가 압전 주파수 표준 개발을 도왔다.

1929년 00월 00일, 27세 때, 월터 브래튼은 수은 증기 속 전자 충돌 들뜸과 비정상 산란을 다룬 논문으로 미네소타 대학교 물리학 박사 학위를 받았다.

0000년 00월 00일, 00세 때, 월터 브래튼은 베커와 함께한 열전자 방출 실험으로 조머펠트 이론을 실험으로 뒷받침했고, 텅스텐의 표면 상태와 일함수, 토륨 원자 흡착도 연구했다.

0000년 00월 00일, 00세 때, 월터 브래튼은 산화구리와 규소 반도체 표면의 정류·광효과를 연구하다 반도체 자유 표면의 광효과를 발견했고, 노벨 위원회는 이를 그의 고체물리학 핵심 기여로 꼽았다.

0000년 00월 00일, 00세 때, 월터 브래튼은 1930년대에 윌리엄 쇼클리와 산화구리를 쓰는 반도체 증폭기를 시도했으나 전계효과 트랜지스터를 만들지 못했다.

1935년 00월 00일, 33세 때, 월터 브래튼은 화학자 케런 길모어와 결혼했다.

0000년 00월 00일, 00세 때, 월터 브래튼은 2차 세계대전 중 컬럼비아 대학교에서 국방연구위원회의 잠수함 자기 탐지 연구에 참여했고, 그의 그룹은 잠수함이 일으키는 지구 자기장 이상을 잡아낼 만큼 민감한 자력계를 개발했다.

1943년 00월 00일, 41세 때, 월터 브래튼은 아들 윌리엄을 얻었다.

1944년 00월 00일, 42세 때, 월터 브래튼은 자력계 헤드 설계로 특허를 받았다.

1945년 00월 00일, 43세 때, 월터 브래튼은 벨 연구소가 통신 기술과 관련된 고체물리 기초 연구를 위해 새로 만든 윌리엄 쇼클리·스탠리 O. 모건 공동 지휘의 연구 그룹에서 일하게 됐고, 1930년대에 동생 로버트의 소개로 알게 된 존 바딘이 곧 그룹에 합류했다.

1947년 11월 00일, 45세 때, 월터 브래튼은 쇼클리의 전계효과 장치가 왜 증폭하지 않는지 밝히라는 지시에 따라 존 바딘과 함께 11월과 12월 내내 여러 실험을 했다.

1947년 11월 00일, 45세 때, 월터 브래튼은 존 바딘과 함께 규소에 금 침을 꽂고 증류수로 둘러싸 작은 증폭을 얻었고, 규소를 저마늄으로 바꿔 저주파 증폭을 키웠다.

0000년 00월 00일, 00세 때, 월터 브래튼은 존 바딘과 함께 점접촉 트랜지스터의 발명자로 특허에 이름을 올렸다.

1948년 06월 30일, 46세 때, 월터 브래튼은 벨 연구소가 기자회견을 열어 자신이 참여한 트랜지스터 발명을 공개하는 자리를 맞았다.

0000년 00월 00일, 00세 때, 월터 브래튼은 트랜지스터 공로를 혼자 차지하려던 쇼클리에게 접합 트랜지스터 등 새 연구에서 배제되자, 벨 연구소 안의 다른 연구 그룹으로 옮겨 C. G. B. 개럿, P. J. 보디와 함께 고체 표면 성질과 트랜지스터 효과 연구를 이어 갔다.

1952년 00월 00일, 50세 때, 월터 브래튼은 하버드 대학교 방문강사로 강단에 섰다.

1952년 00월 00일, 50세 때, 월터 브래튼은 반도체 표면 상태 이론과 점접촉 트랜지스터 발명으로 존 바딘과 함께 프랭클린 연구소의 스튜어트 밸런타인 메달을 받았다.

1952년 00월 00일, 50세 때, 월터 브래튼은 포틀랜드 대학교에서 명예 법학박사 학위를 받았다.

1954년 00월 00일, 52세 때, 월터 브래튼은 트랜지스터 발명으로 존 바딘과 함께 존 스콧 상을 받았다.

1955년 00월 00일, 53세 때, 월터 브래튼은 유니언 칼리지와 휘트먼 칼리지에서 명예 이학박사 학위를 받았다.

1956년 00월 00일, 54세 때, 월터 브래튼은 미국 물리교사협회의 리크트마이어 기념상을 받았고, 미국 예술과학 아카데미 회원이 됐다.

1956년 12월 11일, 54세 때, 월터 브래튼은 「반도체의 표면 성질」을 주제로 노벨 강연을 했다.

1957년 00월 00일, 55세 때, 월터 브래튼은 미네소타 대학교에서 명예 이학박사 학위를 받았다.

1957년 04월 10일, 55세 때, 월터 브래튼은 아내 케런을 잃었다.

1958년 00월 00일, 56세 때, 월터 브래튼은 세 자녀를 둔 에마 제인 커시 밀러와 재혼했다.

1959년 00월 00일, 57세 때, 월터 브래튼은 미국 국립과학원 회원이 됐다.

1962년 00월 00일, 60세 때, 월터 브래튼은 모교 휘트먼 칼리지에서 방문강사로 가르쳤다.

1963년 00월 00일, 61세 때, 월터 브래튼은 휘트먼 칼리지의 방문교수가 됐다.

0000년 00월 00일, 00세 때, 월터 브래튼은 아들이 심장 수술을 받은 뒤 혈액 응고에 관심을 갖게 됐고, P. J. 보디·P. N. 소여와 생체 내 전기화학 과정에 관한 논문을 함께 썼으며, 휘트먼 화학 교수 데이비드 프라스코와 인지질 이중층으로 세포 표면 흡수 과정을 연구했다.

1967년 00월 00일, 65세 때, 월터 브래튼은 벨 연구소에서 공식 은퇴한 뒤에도 휘트먼 칼리지에서 계속 가르쳤다.

1972년 00월 00일, 70세 때, 월터 브래튼은 휘트먼 칼리지 겸임교수가 됐다.

1976년 00월 00일, 74세 때, 월터 브래튼은 강의에서 물러났지만 휘트먼 칼리지 자문역은 계속 맡았다.

0000년 00월 00일, 사후, 월터 브래튼은 워싱턴주 포메로이의 시티 묘지에 묻혔다.