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0~2026.07.27·1화

주이밍 : 2026년 10월 2일 업데이트

CXMT의 한국 반도체 추격전

2018.07~2026.10.12·1화

주이밍 : 4F² 서버용 D램 연내 출시로 삼전닉스 역전 시도

2026년 10월 01일 목요일

주이밍 : 2026년 10월 2일 업데이트

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1972년 07월 00일, 0세 때, 주이밍은 중국 장쑤성 옌청시 푸닝현의 평범한 봉급생활자 가정에서 태어났다.
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1989년 00월 00일, 17세 때, 주이밍은 칭화대학교 물리학과에 입학했다.
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0000년 00월 00일, 00세 때, 주이밍은 칭화대 재학 시절 베이징 중관춘 기업들의 프로그램을 짜주는 일을 하며 실무 경험을 쌓았다.
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1994년 00월 00일, 21~22세 때, 주이밍은 칭화대 물리학과에서 학부와 석사 과정을 연이어 마치고 물리학 석사 학위를 받았다.
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1994년 00월 00일, 21~22세 때, 주이밍은 석사 졸업 후 곧바로 떠나지 않고 칭화대에 남아 근무했다.
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0000년 00월 00일, 00세 때, 주이밍은 미국 뉴욕주립대 스토니브룩으로 건너가 전자공학 박사과정에 진학했으나 학위를 마치지 않고 중도에 그만두었고, 대신 전자공학 석사 학위를 받았다.
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2000년 00월 00일, 27~28세 때, 주이밍은 미국 사이버보안 기업 iPolicy Networks에 입사해 네트워크 프로세서용 검색 엔진 칩 개발 부서에서 일했다.
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2001년 00월 00일, 28~29세 때, 주이밍은 메모리 칩 기업 MoSys(Monolithic System Technologies)로 옮겨 메모리 칩 개발 프로젝트 리더 겸 수석 설계자를 맡았고, 엔지니어에서 프로젝트 매니저로 올라섰다.
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2003년 00월 00일, 31세 때, 주이밍은 그해 말부터 실리콘밸리의 고연봉 직장을 떠나 직접 창업하는 방안을 고민하기 시작했다.
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2004년 00월 00일, 31~32세 때, 주이밍은 미국 직장을 그만두고 중국에서 창업하기 위한 준비에 나섰다.
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2005년 04월 00일, 33세 때, 주이밍은 4월 초 미국 실리콘밸리에서 반도체 설계 기업 기가디바이스를 설립했다.
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2005년 04월 00일, 33세 때, 주이밍은 같은 달 말 회사를 중국으로 옮겨 베이징 칭화과학기술원 인큐베이터와 공동으로 신지자이(芯技佳易)를 세웠고, 칭화과학기술원 인근 우다오커우에서 3명의 팀으로 플래시 메모리 칩 연구개발을 시작했다.
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2005년 04월 00일, 33세 때, 주이밍은 신지자이의 회장 겸 CEO를 맡아 회사 경영을 직접 이끌기 시작했다.
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2008년 00월 00일, 35~36세 때, 주이밍은 회사를 이끌며 중국 최초의 모바일용 고속 메모리 칩으로 꼽히는 SPI NOR 플래시를 개발했다.
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2010년 00월 00일, 37~38세 때, 주이밍은 512K에서 32M 용량에 이르는 플래시 메모리 칩의 양산을 이뤄내 중국 휴대폰 제조사들에 공급했다.
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2010년 00월 00일, 37~38세 때, 주이밍은 회사 이름을 신지자이에서 자오이촹신(兆易创新, 기가디바이스)으로 바꿨다.
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2010년 00월 00일, 37~38세 때, 주이밍은 자신이 이끄는 기가디바이스가 중국 공업정보화부의 '중국칩(中国芯)' 시장성과상을 받은 데 이어 2012년까지 3년 연속 같은 상을 받는 성과를 거뒀다.
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2014년 00월 00일, 41~42세 때, 주이밍은 베이징시 과학기술상 1등상을 받았다.
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2016년 00월 00일, 43~44세 때, 주이밍은 허페이시 정부와 손잡고 약 180억 위안을 투입하는 12인치 웨이퍼 공장 건설 계획을 추진했다.
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2016년 05월 06일, 44세 때, 주이밍은 허페이시 정부와 국산 D램 프로젝트 추진 전략을 논의했고, 이를 계기로 '506 프로젝트'로 불린 D램 사업이 출범했다.
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2016년 06월 00일, 44세 때, 주이밍은 허페이에 D램 사업 법인을 등록하며 훗날 창신메모리테크놀로지스(CXMT)가 되는 회사의 설립을 주도했다.
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2016년 08월 00일, 44세 때, 주이밍은 기가디바이스를 공모가 주당 23.26위안에 상하이증권거래소 메인보드에 상장시켰다.
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2017년 00월 00일, 44~45세 때, 주이밍은 기가디바이스와 허페이시 간의 19나노 D램 공동 연구개발 협력을 성사시켰다.
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2018년 07월 00일, 45~46세 때, 주이밍은 기가디바이스 총경리(CEO) 자리에서 물러나 창신의 회장 겸 CEO로서 D램 사업 경영에 전념하기로 했다.
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2018년 07월 00일, 45~46세 때, 주이밍은 창신 프로젝트가 이익을 내기 전까지 급여와 보너스를 한 푼도 받지 않겠다고 공개적으로 약속했다.
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2018년 07월 16일, 45~46세 때, 주이밍은 허페이 D램 공장에서 첫 웨이퍼 생산에 성공했다.
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2018년 12월 00일, 46세 때, 주이밍은 창신메모리(长鑫存储技术有限公司) 회장으로 취임했다.
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2019년 00월 00일, 46~47세 때, 주이밍은 WiLAN 자회사와 약 2년에 걸친 협상 끝에 특허 사용 계약을 맺어 1,000만 건이 넘는 D램 기술 문서를 확보했다.
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2019년 09월 00일, 47세 때, 주이밍은 창신을 통해 자체 설계한 8Gb DDR4 D램 칩의 양산에 성공했고, 이는 중국 최초의 자체 개발 D램으로 평가받았다.
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2019년 12월 05일, 47세 때, 주이밍은 창신이 인피니언의 D램 기술 특허 실시 허가를 확보했다고 발표했다.
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2020년 05월 00일, 48세 때, 주이밍은 창신커지(长鑫科技)의 CEO를 맡아 2023년 4월까지 재임했다.
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2021년 02월 00일, 49세 때, 주이밍은 창신커지그룹(长鑫科技集团) 회장에 취임했다.
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2023년 04월 00일, 51세 때, 주이밍은 창신커지 CEO 임기를 마쳤다.
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2024년 12월 16일, 52세 때, 주이밍은 기가디바이스 회장에 선임됐다.
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2025년 00월 00일, 52~53세 때, 주이밍은 자신이 회장으로 이끄는 창신커지가 그해 6,179억 9,000만 위안의 매출과 18억 7,500만 위안의 순이익을 올려 창사 이래 첫 연간 흑자를 내는 성과를 거뒀다.
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2025년 12월 31일, 53세 때, 주이밍은 창신커지의 누적 결손금이 366억 위안에 이른 상태에서 흑자 전환 국면을 맞았다.
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2026년 00월 00일, 53세 때, 주이밍은 자신이 이끄는 창신커지가 1분기에 매출 508억 위안, 순이익 247억 6,200만 위안을 기록하는 실적을 냈다.
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2026년 01월 13일, 54세 때, 주이밍은 기가디바이스를 홍콩증권거래소에 추가 상장시켜 A주와 H주 동시 상장 체제를 갖췄고, 상장 당시 직접 보유분과 특수관계인 지분을 합쳐 8.82%의 지분을 갖고 있었다.
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2026년 05월 00일, 54세 때, 주이밍은 5월 11일부터 25일까지 기가디바이스 지분 0.90%를 주당 평균 406.38위안에 매각해 약 25억 7,000만 위안을 현금화했고, 특수관계인 포함 지분율은 7.90%에서 7.00%로 낮아졌다.
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2026년 05월 27일, 54세 때, 주이밍은 창신커지의 과학창업판(STAR Market) 상장 신청이 상하이증권거래소 상장위원회 심사를 통과하는 결과를 얻었다.
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2026년 06월 12일, 54세 때, 주이밍은 창신커지의 과학창업판 상장 승인을 받았다.
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2026년 07월 15일, 53~54세 때, 주이밍은 상하이에서 열린 창신커지 상장 온라인 투자자 설명회에서 개회사를 하며 상장은 새로운 출발점이자 새로운 책임이라고 밝히고, 공정 기술과 제품 연구개발 투자를 늘리고 생산능력을 확대하겠다고 말했다.
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2026년 07월 27일, 53~54세 때, 주이밍은 창신커지를 공모가 주당 8.66위안에 상하이 과학창업판에 상장시켰고, 약 579억 위안을 조달해 과학창업판 사상 최대 규모 공모를 기록했으며, 주가는 첫날 49.5위안에 시작해 49위안으로 마감했고 시가총액은 약 3조 3,000억 위안에 이르렀다.
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2026년 07월 27일, 53~54세 때, 주이밍은 상장 첫날 종가 기준 창신커지 보유 지분 가치가 약 780억 위안에 달해 총자산이 900억 위안을 넘어섰다고 텐센트뉴스가 보도했다.
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0000년 00월 00일, 00세 때, 주이밍은 상장 후 자신이 보유한 창신커지 주식의 약 절반인 7억 6,800만 주를 대가 없이 전 직원에게 10년에 걸쳐 나눠주고, 상장 후 10년간 지분을 전혀 팔지 않으며 그 뒤에도 매년 20% 이내로만 매각하겠다고 약속했다.

주이밍